Cypress Semiconductor宣布推出新系列1-Mbit序列非揮發性靜態隨機存取記憶體(nvSRAM)，以及內建即時時脈(RTC)功能的新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM。
Cypress的nvSRAM採用其S8™ 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非揮發性記憶體製造技術，創造出更高密度，並改善存取速度與效能。對於需要絕對非揮發性資料安全性的應用裝置，nvSRAM是理想的解決方案，其中包括磁碟陣列(RAID)系統、工業控制與自動化（例如：PLC、馬達控制、馬達驅動以及機器人）、單板電腦、銷售端點管理系統、電子儀表（eMetering）、車用、醫療以及數據通訊系統。
序列式nvSRAM系列產品內含1-Mbit元件，推出多重組態設定，並配備一個業界標準SPI介面。序列式nvSRAM提供底面積極小的8針腳DFN與16針腳SOIC封裝，運作頻率最高可達40 MHz，其中一款序列nvSRAM還整合一個即時時脈元件。
Cypress平行式nvSRAM的存取時間僅有20奈秒（ns），提供無限次數的讀、寫、及召回（recall）能力，以及長達20年的資料保存期限。新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM整合一個即時時脈元件，為備份的重要資料提供時間戳記（time-stamping）功能，並具備一個可編程警報功能以及監控計時器。
Cypress公司非揮發性產品事業部資深總監Jithender Majjiga表示：「我們的新系列元件擴充Cypress領先業界的nvSRAM產品陣容，滿足各種具備業界標準低針腳數封裝，且需要高耐用度記憶體的應用。同樣的，在我們的nvSRAM中整合一個即時時脈元件，讓我們的產品線能支援以往採用BBSRAM（電池供電SRAM）的各種應用。 」
Cypress的nvSRAM符合歐盟禁用物質防制法的規範(ROHS-compliant)，能直接取代SRAM、電池供電的SRAM（BBSRAM）、以及EEPROM等元件，提供高速的非揮發資料儲存功能而無須使用電池。當關閉電源時，系統會自動把SRAM的資料傳送到非揮發元件。在電源啟動時，資料會從非揮發性記憶體回存至SRAM。這兩項作業都可透過軟體來控制。nvSRAM不僅可節省電路板空間，還能降低設計複雜度。
Cypress身為SONOS製程技術的領導者，現正著手運用S8技術開發新一代PSoC® 混合訊號陣列元件、可編程時脈以及其他產品。SONOS可相容於標準CMOS技術，並帶來眾多優點，其中包括高耐用度、低功耗、以及抗幅射干擾等。此外，相較於其他採用非揮發性記憶體技術的磁性或鐵電性材料，SONOS技術提供更強大、易於製造且可擴充的解決方案。