兩大全球記憶體供應商奇夢達與爾必達日前宣布簽定策略技術合作合約，共同發展記憶體晶片。這項合作將會有助於加速及強化雙方技術領先的地位。

以奇夢達創新的Buried Wordline 技術和爾必達先進的堆疊式技術為基礎，雙方會共同發展技術平台和設計規範。兩家公司計畫將在2010 年推出此共同開發、達到40奈米世代 的創新4F² cell 概念，未來並將進一步推展至30奈米世代。雙方也鎖定在各自的日本廣島及德國德勒斯登廠，密切合作研發計畫，包括雙方工程師的互換交流。此外，雙方也同意在直通矽晶穿孔技術(Through Silicon Via) 和未來記憶體開發的領域中尋求共同發展機會，及可能合資生產的機會。

雙方更建立了廣泛不受限制的交叉智慧財產授權，這使得兩家公司能夠在產品和技術的發展上有更多自由發展的空間。

「從我們和爾必達洽談開始，基於雙方在技術創新的共識上，我們已建立極佳的關係，也因為如此，我們能夠極快速地達成明確的共同發展協議，與爾必達的合作是我們在策略藍圖上另一個重要的里程碑。」奇夢達的總裁暨執行長 羅建華表示：「奇夢達成功轉型為擁有多樣DRAM產品的供應商，以及發表了我們突破性的Buried Wordline 技術之後， 為能更加支援我們非PC記憶體產品多樣化的商業模式，我們現在開始重新調整策略夥伴結構。」