兩大全球記憶體領導供應商奇夢達公司與爾必達公司日前宣布簽定共同開發技術合作意向書，將聯手開發新一代的記憶體晶片(DRAM)。在此項合作計畫，奇夢達將提供其創新Buried Wordline 的關鍵技術，爾必達則將提供其先進的堆疊技術。此項策略技術合作將可結合兩家公司的力量，加速在DRAM 4F² cell尺寸產品藍圖的發展。 兩家公司計畫將在2010 年推出此共同開發、達到40奈米世代 的創新4F² cell 概念，未來並將進一步推展至30奈米世代。

奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「此項與爾必達的策略合作是對我們創新Buried Wordline 技術的最大肯定，奇夢達並希望藉由此項合作關係加速小尺寸4F² cell的推出。此項技術合作為我們兩大 DRAM 技術領導者創造了絕佳的機會，在研發與未來共同量產的資源上達到更好的經濟規模。」

爾必達社長暨執行長本幸雄(Yukio Sakamoto)表示:「我們在研發上持續的努力，使我們能夠在DRAM技術上保持領先。在目前既艱困又高度競爭的市場環境下，更快及更有效能的研發新技術愈趨重要。我們相信這次與奇夢達共同發展的合作，將更加速與強化我們在技術上的領先，帶領我們邁向DRAM市場中的頂尖地位。」

兩家公司計畫共同發展技術平台及設計規範，以促成產品交換及合資生產的可行性。雙方也鎖定在各自的日本廣島及德國德勒斯登廠，密切合作研發計畫，包括雙方工程師的互換交流。此外，雙方也同意在直通矽晶穿孔技術(Through Silicon Via)及未來記憶體的領域中，尋求共同發展的機會。