全球材料、應用技術及服務的綜合供應商Dow Corning先進技術與新業務拓展部門日前宣佈，其最新的低介電常數碳化矽與氫化碳氧化矽 (low-k SiC and H:SiOC) 薄膜製造方法已獲得美國專利。這套方法利用電漿輔助化學氣相沉積製程 (PECVD) 讓含氧氣體與帶有應力矽鍵結的環矽烷化合物進行反應。

晶片製造商近年來已開始利用低介電常數絕緣材料來減少電晶體間的電性干擾，以使這些電晶體的位置能夠更靠近，進而製造出體積更小、速度更快和耗電更少的晶片。但隨著半導體元件不斷微縮，傳統的低介電常數薄膜越來越容易受到製程高溫破壞，而更難附著在晶片導線所用的金屬層上。

 
Dow Corning預期從32奈米開始，新一代晶片都會利用這種低介電常數製程製造層間介質。

Dow Corning電子暨先進技術事業部的全球執行總監Jeroen Bloemhard表示：「獲得這項專利證明我們的晶片技術正持續精進，而我們也致力於保護公司的智慧財產。我們將繼續在矽材料產業發揮影響力，並正積極投資於研發，以滿足未來的市場需求。」