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微軟採用台積電90奈米嵌入式DRAM製程 成功量產Xbox 360繪圖記憶體次系統

      日期:2007/8/17      來源:半導體科技

   


台積電表示,已開始為微軟的
Xbox360遊戲機製造繪圖記憶體次系統,採用90奈米嵌入式DRAM製程,以80mn密度設計和500 MHz的速度。在此之前,NECXbox360繪圖記憶體次系統90奈米eDRAM供應商。



台積電表示,自
2006年第一季起就開始為客戶產出90奈米嵌入式DRAM產品。90奈米DRAM產品採用CMOS邏輯製程,加上尺寸少於eSRAM一半且在待機及工作中更省電的記憶體模組。



微軟半導體技術部門資深總監
Bill Adamec表示,台積電的90奈米先進製程正是進一步加強我們對遊戲機遊戲及娛樂的承諾。



微軟一直致力與通用平台聯盟
(IBM/特許/三星)合作晶片夥伴為其Xbox遊戲機製造晶片。去年秋天,Walter Lange在特許半導體解釋WaferNEWS如何讓Xbox的合同體現聯盟的能力以吸引大客戶。IBM做基礎設計與DFM服務,而在聯盟夥伴的晶圓廠製造,特許也承諾高量產供貨時的市場價格。

台積電和
Nvidia日前表示,他們是首位使用65奈米製程量產嵌入式DRAM,使用10層的金屬銅用低介電常數和NiSi晶體管互連,比其他先前高密度記憶體晶圓尺寸縮小近50 %,比起其對應的SRAM尺寸不到四分之一。

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