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半導體科技舊版

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半導體科技 No.83

半導體科技 No.82

半導體科技 No.81

活動快訊

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• 2008年IEDM有詳細的最新32奈米CMOS、flash之後記憶體以及... 2009/5/6

• ASML的「double-dips」新型微影機台 2009/5/6

• 應用材料公司加速矽晶穿孔的實現，並發表了Silvia蝕刻機台 2009/5/6

• 可靠度工程師所嚮往的境界來臨 2009/3/25

• SVTC與Entrepix–將CMP業務邁進12吋市場 2009/3/25

• 光罩座談會討論陰靄與陽光效應問題 2009/2/11

• 探究Oxford/TDI公司用於InGaN成長的HVPE技術 2009/2/11

• KLA-Tencor以最新電漿監視器排除噪音 2009/2/11

• 為使用MSA的32nm USJs尋找製程範圍 2008/11/25

• IMEC、ASML：往量產更進一步的EUV 2008/11/25

• IMEC/ASML的32nm EUV成了英特爾研究的敵手 2008/11/25

• 32奈米製程光罩將轉進鉬矽材料 2008/11/5

• 來自於VLSI研討會的報告—平面CMOS頂多至22nm 2008/8/20

• 處理閃爍雜訊的新機台 2008/7/22

• 晶邊：清洗尚待開發的領域 2008/7/16

• 原子層沉積用於單閘金屬/高介電層閘堆疊 2008/7/16

• SEMATECH微影論壇：各項技術皆穩定進步 2008/7/10

• 東芝推出較環保的銅清洗技術成本更低且良率更高 2008/6/2

• 詳細闡明液晶顯示器製造的替代方案 2008/5/26

• 英特爾宣告的計算微影能力 2007/12/28

• 深入IBM氣隙製程 2007/11/30

• 光學還活著─但是還能活多久呢？ 2007/11/20

• 電子元件會議轉向3D立體結構與低功耗 2007/4/9

• Synopsys捐贈Variation-Aware Extension　... 2007/4/9

• 整合光電技術／日立：沖電氣把發光二極體製造在矽晶圓上 2007/2/12

• 世代軟性顯示器電晶體元件 2007/2/12

• 富士通展示使用奈米碳管作為32奈米元件的內連線 2007/1/12

• Sematech 使用Dual的方式來最佳化閘極堆疊 2006/10/30

• 利用矽晶直接接合來形成塊狀矽晶 2006/8/7

• 德州儀器與麻省理工學院合作研發 65奈米CMOS次臨界電壓靜態...2006/7/12

共31條，第1頁，共2頁

SST精選 (SST Feature)

• 製造具有嵌入式頂部障壁之193奈米浸...

• 低介電常數多孔質形成的特性與生產線上...

• 製造矽晶太陽能電池需要真空基礎的解決...

• 使用氫電漿處理方法將鎳薄膜轉變成鎳奈...

• 一種用於193奈米光阻開發之低缺陷高...

AP精選 (AP Feature)

• 避免無助熔劑區域

• 散熱銅柱凸塊：一種熱量和電力管理的方...

• 混合多種技術電路之三維封裝設計

• 厚層銅柱凸塊製程技術

• 因應新興市場需求的封裝成形技術

技術專文 (Technology Feature)

• 多晶鑽石刨平器：拋光墊的精密修整及硬...

• 透過高階修正來改善重合疊對控制和掃描...

• 軟性有機電子之塗佈與沈積技術

• 降低高亮度LED大產量生產成本的晶圓...

• 針對22奈米及以下製程世代所需之超紫...

市場瞭望

• IEK：台灣面板業者應主動出擊

• 2006年我國電子零組件產業回顧與展...

• 2006年我國平面顯示器產業回顧與展...

• 2006年我國IC產業回顧展望 ...

• IEK：FPD產業應朝開發新產品應用...

活動快訊(Event)

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