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半導體科技舊版

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期刊回顧

半導體科技 No.80

半導體科技 No.79

半導體科技 No.78

活動快訊

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• 微影區域的分子級污染最佳化偵測技術 2008/9/24

• 製造具有嵌入式頂部障壁之193奈米浸入式光阻術 2008/9/16

• 低介電常數多孔質形成的特性與生產線上的監測 2008/8/7

• 線上XPS技術作為製程監控與表面特性分析 2008/4/30

• 一種用於193奈米光阻開發之低缺陷高效率製程 2008/4/21

• 以組合式的技術加快半導體的研發 2008/4/18

• 自動化微影熱點修復之方法及系統介紹 2008/4/18

• 用於65奈米系統性良率監測的可定址式陣列技術 2008/3/28

• 在高深寬比結構下的量化ALD技術 2008/3/28

• 製造矽晶太陽能電池需要真空基礎的解決方案 2008/3/25

• 生物醫學上對使用磁性奈米顆粒的應用 2008/3/20

• 高介電質加金屬閘CMOSFETs的增強應變微縮 2008/3/13

• 分子污染：吹淨(purge)需求的急迫性 2008/3/13

• 對低階可印刷電子的濃厚興趣 2008/3/7

• 增加單晶圓濕式蝕刻製程的用途 2008/2/29

• 使用自動化線上黏度控制在光阻的生產 2008/2/14

• 使用應變工程以改善非揮發性記憶體(NVM)記憶保持時間 2008/1/16

• 新技術為薄膜太陽光電在低成本與新市場的考量下注入一股新希望 2008/1/4

• 透過全面性元件充電模式(CDM)靜電放電(ESD)失效的分析以提昇良率 2008/1/4

• 雙線/雙圖案製程以延伸浸潤式微影至45奈米以下技術 2008/1/2

• 應用銅釘貫通矽晶導孔的技術於三維的堆疊IC整合結構 2008/1/2

• 用於改善OPC能力的主動光譜控制技術 2008/1/2

• 利用雙圖樣微影技術解決32奈米半節距的挑戰 2008/1/2

• 用來分析和補償系統性光罩臨界尺寸誤差的方法 2008/1/2

• 以先進掃瞄為基礎的故障隔離技術來促進良率學習 2008/1/2

• 降低全氟化物散發的執行科技 2008/1/2

• 新的設備數據擷取標準提升了晶圓廠的產能 2008/1/2

• 65奈米邏輯閘無鉻相位微影(CPL)光罩的資料庫檢測 2007/12/25

• 以整合全表面檢測提高晶圓良率 2007/12/25

• 使用製程變異的電路分析:一種 DFM 效能的技術 2007/12/24

共83條，第1頁，共3頁

SST精選 (SST Feature)

• 製造具有嵌入式頂部障壁之193奈米浸...

• 低介電常數多孔質形成的特性與生產線上...

• 製造矽晶太陽能電池需要真空基礎的解決...

• 線上XPS技術作為製程監控與表面特性...

• 一種用於193奈米光阻開發之低缺陷高...

AP精選 (AP Feature)

• 散熱銅柱凸塊：一種熱量和電力管理的方...

• 混合多種技術電路之三維封裝設計

• 厚層銅柱凸塊製程技術

• 因應新興市場需求的封裝成形技術

• 晶圓塗佈於封裝應用上的進展

技術專文 (Technology Feature)

• 先進半導體製程與材料選擇

• 無鉛手工焊接製程的變革

• 整片晶圓通孔後濕式清洗的非光學可視性...

• 暗視野成像檢測儀進行金屬線側壁空穴監...

• 以STARlight2+ 72奈米像...

市場瞭望

• IEK：台灣面板業者應主動出擊

• 2006年我國電子零組件產業回顧與展...

• 2006年我國平面顯示器產業回顧與展...

• 2006年我國IC產業回顧展望 ...

• IEK：FPD產業應朝開發新產品應用...

活動快訊(Event)

• Minitab與創新研究研討會

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