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半導體科技舊版

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半導體科技 No.83

半導體科技 No.82

半導體科技 No.81

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• 離子植入：32奈米與22奈米元件製程的新促動要素 2009/3/25

• 未來的一年：創新的時機 2009/3/3

• 次世代邏輯閘極堆疊的high-k蝕刻效能 2009/1/19

• 實現450毫米的轉換 2008/10/28

• 以高傳輸率之暗底影像技術將迴授時間最佳化 2008/9/2

• 工程師的公共政策：太陽能產業取決於政策制定者的善意 2008/8/13

• 雖然High-k材料已經進入量產，但仍爭議不斷 2008/7/10

• 雖然尚有部分工程與成本的挑戰，32奈米IC的量產即將到來 2008/5/26

• 次45奈米以下的一種低溫LPCVD氮化矽製程 2008/5/13

• 採用NIR即時化學分析法以監測循環槽 2008/5/13

• 保護軟性電子元件的多層薄膜阻絕層 2008/5/6

• 運用步進快閃式壓印微影以形成內連線介電層圖案 2008/1/3

• 利用十八硼烷進行超低能量硼佈植的特性 2007/12/28

• 高階高效能(HP)邏輯植入的精準度要求 2007/11/30

• 利用非對稱性孔隙薄膜以最佳化銅電鍍的過濾 2007/11/23

• 液晶顯示器的良率策略尺寸變化及複雜化驅動 2007/4/9

• 焊錫凸塊的控制崩潰晶片接合新製程(C4NP) 所牽涉到的成本、量產及備料後勤...2007/2/12

• 淺層摻雜的替代方案氣體團簇注入(gas cluster infusi... 2007/1/12

• 使用氧和氫氧原子進行爐管批次氧化 2006/10/30

• 記憶體金屬熔線的綠光雷射處理 2006/10/27

• 突破覆晶節距障礙與電子、機械性能需求並進 2006/8/7

• 目標針對45奈米具有改善之氮氧化矽薄膜與延伸之閘極介電層...2006/8/7

• 邁向晶圓廠整廠性的先進製程控制 2005/4/15

• 以犧牲覆蓋層進行晶圓形貌控制 2005/4/14

• 解決磊晶層厚度均勻度的非線性模式 2005/4/14

• 以低溫脈衝退火法生成矽化鎳 2005/4/13

• 應用於超高亮度發光二極體的先進有機金屬化學氣相沉積法 2005/4/13

• 雷射橢圓儀及深紫外線反射測量儀在氮氧化矽抗反射層材料之應用 2005/4/13

• 製程整合電晶體尺寸持續縮減，不過新挑戰隨之逼近 2005/4/13

• 晶圓清潔為何晶圓清潔變得更具挑戰性 2005/4/13

共32條，第1頁，共2頁

SST精選 (SST Feature)

• 製造具有嵌入式頂部障壁之193奈米浸...

• 低介電常數多孔質形成的特性與生產線上...

• 製造矽晶太陽能電池需要真空基礎的解決...

• 使用氫電漿處理方法將鎳薄膜轉變成鎳奈...

• 一種用於193奈米光阻開發之低缺陷高...

AP精選 (AP Feature)

• 避免無助熔劑區域

• 散熱銅柱凸塊：一種熱量和電力管理的方...

• 混合多種技術電路之三維封裝設計

• 厚層銅柱凸塊製程技術

• 因應新興市場需求的封裝成形技術

技術專文 (Technology Feature)

• 多晶鑽石刨平器：拋光墊的精密修整及硬...

• 透過高階修正來改善重合疊對控制和掃描...

• 軟性有機電子之塗佈與沈積技術

• 降低高亮度LED大產量生產成本的晶圓...

• 針對22奈米及以下製程世代所需之超紫...

市場瞭望

• IEK：台灣面板業者應主動出擊

• 2006年我國電子零組件產業回顧與展...

• 2006年我國平面顯示器產業回顧與展...

• 2006年我國IC產業回顧展望 ...

• IEK：FPD產業應朝開發新產品應用...

活動快訊(Event)

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