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半導體科技 No.81

• [技術長對談 ] KLA-Tencor技術長：「決策」和「發展策略」是技術長的核心能力

• [封面故事] 次世代邏輯閘極堆疊的high-k蝕刻效能

• [AP封面故事] 混合非流動及底部填充製程的覆晶

• [SST精選] 用於修復低介電係數材料的碳修補矽烷化製程

• [SST精選] 以矽晶通道工程來取捨功率/性能

• [AP精選] 避免無助熔劑區域

• [科技新知] 光罩座談會討論陰靄與陽光效應問題

• [科技新知] 探究Oxford/TDI公司用於InGaN成長的HVPE技術

• [科技新知] KLA-Tencor以最新電漿監視器排除噪音

共1頁，第1頁，共9條

封面故事

• 離子植入：32奈米與22奈米元件製程...

• 未來的一年：創新的時機

• 次世代邏輯閘極堆疊的high-k蝕刻...

• 實現450毫米的轉換

• 以高傳輸率之暗底影像技術將迴授時間...

AP封面故事

• 影像感測模組之常見測試問題

• 銲線接合製程控制瞄準100%良率

• 積體電路封裝驅動測試技術的創新

• 2008：新的封裝技術驅動產業向前發...

• 應用於晶圓凸塊製程易使氧化層減少的銅...

SST精選 (SST Feature)

• 製造具有嵌入式頂部障壁之193奈米浸...

• 低介電常數多孔質形成的特性與生產線上...

• 製造矽晶太陽能電池需要真空基礎的解決...

• 使用氫電漿處理方法將鎳薄膜轉變成鎳奈...

• 一種用於193奈米光阻開發之低缺陷高...

AP精選 (AP Feature)

• 避免無助熔劑區域

• 散熱銅柱凸塊：一種熱量和電力管理的方...

• 混合多種技術電路之三維封裝設計

• 厚層銅柱凸塊製程技術

• 因應新興市場需求的封裝成形技術

活動快訊(Event)

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