高亮度LED的主要用途包括車燈、信號燈以及背光顯示等。 雖然高亮度LED的成本較高，但其優越性使LED應用還是可以接受。高亮度發LED也具有用於普通照明的潛力。為使高亮度LED的成本降低到可用於居室、辦公室和停車場，有必要提高高亮度LED的製造的生產效率來達到降低單位元流明成本的目的。這樣高亮度LED就可代替現在還在生產的白熾燈和各種螢光燈。高亮度LED的一個顯著優點是其壽命是用數十年來衡量的。

多種高亮度LED的光子向各個方向發射，包括向基板方向的下方。如果基板有比LED發光區小的帶隙，基板會吸收大約一半的反射光，這就大大減少了光的輸出。如果把一片含有發光二極管的晶圓粘結到一片具有高反射率表面的基板晶圓上，基板晶圓還有能散熱，射向基板的光將被反射回並穿過發射區，這就大大提高了總光亮輸出。

許多材料，如矽，砷化鎵，氮化鎵，磷化鎵，和藍寶石等，可用來製作LED。在復合半導體上生長出光子層並轉移到矽或相似的材料的支撐晶圓上，並且晶圓的背面是暴露出來的。現在復合半導體只有大到4英寸。這就限制了LED晶圓與晶圓的結合的大小只有2到4英寸的直徑。另外一個問題就是兩個需要粘結的晶原有不同的熱膨脹係數而導致粘結過程非常緩慢。因爲每次只能粘結一對晶圓，這就限制了高亮度LED的生產率，單位成本也很高。這些限制可通過使用新開發的SUSS晶圓粘結裝置來突破，這個裝置可實現多對晶圓的同步粘結。

以氮化鎵為原料的高亮度LED生產有兩種方法：即金-金熱壓和金錫共熔粘結。在金-金熱壓粘結過程中，一層1至3微米厚的金和阻隔粘結層被塗在每片晶圓上。為了消除表面污染影響固態擴散機理，需進行幾個步驟的清洗（紫外臭氧或化學濕處理）。粘結時的溫度是250°to 400°，壓力是1至7 MPa，時間從幾分鐘到幾小時。低溫時需增加時間和壓力。如果時間和壓力不夠，通常晶圓與晶圓間只有局部的結合。

錫金共熔法是通過固體與液體的擴散而形成金屬間化合的合金來達到粘結的。一晶圓塗了一層薄金，而另一晶圓塗了一層厚度可達5微米的金錫。必要時可塗擴散阻隔層。為避免錫在高溫時氧化，晶圓粘合需在氣體中進行，如在氮氫混合氣（95% N₂, 5% H₂)中。這種方法只需低壓和用比熔點稍高的溫度，可在幾分鐘內完成粘結。

已開發出的用於多對晶圓同步粘結的裝置是根據8英寸晶圓平臺而來的。為提高產量，8英寸直徑平臺可一次接納八個2英寸，四個3英寸，或是三個4英寸晶圓（圖一），並可進行同步粘結。

 

這個裝置有一空腔，空腔有可加熱和加壓，並可插入固定裝置。固定裝置是由碳化矽製成的上下板組成。上板是可以裝卸的，下板有熱耦可以控制溫度。每塊板的平整度要求在2微米之內。兩板間的平面嚙合度要求在200mm 範圍裏不超過20微米。

將要粘結的兩個晶圓先放固定裝置的上下板之間，然後通過手動或氣動使兩晶圓對準。一層易嚙合的材料，如石墨，可能放在晶圓與上板之間來達到最佳壓力分佈（圖二）。裝置的上板向下靠攏晶圓並將兩晶圓位置固定，定位裝置被裝載器插入空腔內部，下板向上靠攏定位裝置，使讓裝載器可以移走，裝置內腔密封後，粘結的過程就開始了。

圖二：8個2英寸與上板間的壓力紙揭示了粘結過程中壓力分佈是很均勻的。

LED晶圓粘結的最佳時間，溫度和壓力參數是以滿足金屬和器件的要求而由製程決定的，成功開發出的製程和把技術轉換為生產的關鍵是快速準確地使晶圓的結合面以圖像顯現出來，用圖像來發現氣孔及裂紋起始的部位。