基本上，IMEC與ASML已經完成的是，利用EUV進行50%曝光寬容度(latitude)，來轉印45nm關鍵尺寸(CD)的接觸孔。而在深紫外光(DUV)的情況下，曝光寬容度將會小6到8倍，而且是最有可能用來轉印較大接觸層，然後利用某些如利用化學性微縮來增強微影解析度(resolution enhancement lithography assisted by chemical shrink，RELACS)等光阻膨脹(resist-bloating)來將其微縮的方法。而IMEC與ASML可能會利用「直接圖樣成形(direct patterning)」，這表示他們就不需要這樣的製程步驟，或二次圖形曝光(double patterning)以命中所需的間距要求。而氧化物的CDs比光阻的CD還來得小，這也就是說製程控制會是關鍵。
SRAM設計對於英特爾所做的32nm展示，對二次圖形曝光來說並不是很友善，但其所完成的成果卻是真實的。這對於利用製程專業技術以克服設計限制來說，可說是一個很好的範例，而英特爾已經完成了其對立面。這在可製造性導向設計(DFM)上，是一個基本的緊張狀況與高潮。SST-AP/Taiwan