IMEC、ASML：往量產更進一步的EUV
在揭開今年SEMICON West的序幕時，IMEC指出他們已經能夠達成具有電氣功能的32nm SRAM cells(FinFETs)。該鰭狀與閘極層是利用浸潤式微影(immersion lithography)來製備，但接觸孔(contact hole)層則是利用超紫外光(EUV)微影來加以曝光(該孔的尺寸為50nm)。此研究是用安裝在IMEC的ASML試驗設備上所完成的。
雖然此研究已完成45nm與32nm的成果，但終極目標是要達成22nm下足夠用來量產的EUV設備。IMEC先進微影計劃主持人Kurt Ronse在一次與SST的訪談中解釋說：「記憶體公司會是最有可能將EUV導入22nm製程中，以獲得所要求的半間距規格，而很多邏輯產品製造廠則可能會延遲EUV的導入，直到16nm的技術節點時，此節點對他們來說就等於是對應於22nm半間距要求。」
圖：經過不同劑量的EUV ADT曝光及氧化物蝕刻之後的32nm SRAM元件。(資料來源：IMEC)
此聯盟也正在研究那些膜層可以在接觸層之後利用EUV來曝光，以及那些可以利用浸潤式微影來曝光。
根據ASML EUV事業群副總經理Ron Kool的說法，ASML的技術藍圖仍然是希望在2009年底之前或2010年開始時，可以產出一台高產能的EUV設備。他指出：「我們期望其中有一個設備可以及時完成，然後EUV膜層與浸潤式膜層之間的互疊數目也將會完成。」而他也特別說明，目前最重要的工作是達到高產能—說白話一點就是獲得可以支援該產量的設備。
在由這些里程碑的刺激及所有投入者的共同努力之下，IMEC已決定將EUV全速往22nm技術節點前進。
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