Ramtron推出業界首款4百萬位元非揮發性FRAM記憶體
非揮發性鐵電隨機存取記憶體(FRAM)及整合半導體產品之主要開發者和供應者Ramtron International Corporation，發表業界第一款4百萬位元(Mb)的 FRAM記憶體，此並為密度最高的FRAM產品，容量為既有FRAM記憶體的四倍。FM22L16採用44接腳、薄型小尺寸塑膠(TSOP)封裝的3V、4Mb並列式非揮發性RAM，具備高存取速度、幾乎無上限的讀/寫次數、以及低功耗等優點；其與非同步靜態RAM(SRAM)腳位相容，並適用於諸如機器人、網路和資料儲存應用、多功能事務機、自動導航系統，以及許多以SRAM為基礎的系統設計工業控制系統。
Ramtron副總裁Mike Alwais表示：「4百萬位元 FRAM跨越了全新的技術藩籬，並將Ramtron及FRAM技術帶入全新及創新的應用領域。FM22L16將FRAM技術引領至主流應用中，而德州儀器業經驗證的製程節點，則帶來多樣獨立式、及整合式產品機會。透過足以改變記憶體產業風貌的潛能，此新產品已將FRAM定位成理想的非揮發性儲存解決方案。」
FM22L16為256K x16之非揮發性記憶體，以工業標準並列式介面進行存取，存取時間為55ns、週期為110ns。該元件以無延遲(NoDelayTM)寫入之匯流排速度進行讀寫操作，具備至少1e14 (100兆)次寫入的耐久性，以及10年資料保存能力。
4百萬位元FRAM是標準非同步SRAM的直接替代元件，並具更高性能，由於其進行資料備份時不需電池，並且為單晶構型，因此具備更高可靠性。FM22L16是真正的表面黏著解決方案，與SRAM不同的是，其不需與電池相連，不需重寫步驟，並具備高度耐潮濕、抗衝擊和振動特性。
透過與目前高效能微處理器連接的介面，FM22L16的高速頁面模式可以高達40MHz的速度進行4位元組突發讀/寫操作，匯流排速度遠高於傳統的RAM。該元件較標準SRAM具備更低的工作電流，讀/寫操作時為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM22L16能於整個工業溫度範圍(-40℃至+85℃)內於2.7V至3.6V電壓工作。SST-AP/Taiwan