IDT發表低功耗記憶體緩衝晶片AMB+降低40%功耗 減少資料中心基礎架構管理成本
關鍵半導體解決方案供應商IDT (Integrated Device Technology, Inc)宣佈發表最新第三代先進記憶體緩衝晶片─Advanced Memory Buffer Plus (AMB+)，耗電量比目前市場上其他AMB降低達40%，為業界現有AMB中耗電最低。IDT 的AMB+元件符合JEDEC對AMB規格要求的標準，是全緩衝雙列直插式記憶體模組(FB-DIMM)上重要的建構元件，最適合需要高效能、低功耗運算平台的應用設計。
IDT AMB+可以滿足如伺服器與工作站這類對記憶儲存效能需求較高的設備，以處理像電子商務、網站管理、企業及其他特定關鍵任務的應用設備的效能需求。隨著資料處理中心功能需要持續提昇，運算平台也面臨必須不斷擴充記憶體效能與容量，但又須謹守降低耗電限制的挑戰。所以，讓記憶體控制器與通道模組間進行高速、串列與點對點的方式連結，是現今最新記憶架構子系統─FB-DIMM通道架構的一個重要特性。FB-DIMM模組中排列的DRAM必須藉助IDT的AMB+晶片來完成連結的功能。FB-DIMM上的AMB+晶片負責接收並傳送經由DIMM進出的資料，先將資料緩衝在晶片內，再接收自或傳到下一個DIMM或記憶體控制器。
AMB+是一款立即可用的解決方案，即使對DDR2-800 DRAM架構中採用的上一代解決方案，也可以降低25%的耗電量。若在晶片中再加入特殊的電壓設計，如用1.5伏的核心電源取代傳統1.8伏特的核心電源，功耗節約效果更佳。這樣一來，甚至也許都不需要裝配全模組散熱片，不但能大幅降低材料成本還可以提升封裝密度。SST-AP/Taiwan