Epion Corporation 宣佈超淺摻雜吞吐量顯著提高效能
文/于嘉言 氣體團簇離子束(GCIB)開發商Epion Corporation日前宣佈，該公司nFusionTM摻雜系統產生的離子束流在效能方面有顯著提高。最近在法國馬賽舉行的離子注入技術會議上，Epion提交的一份論文指出其離子束的品質傳輸能力有了極大提高，這可以增加晶圓的吞吐量，並使得摻雜處於表面很淺的位置。這種能力的應用包括DRAM製造中用於超淺接合和雙柵多晶矽應用的硼摻雜和用於通道工程的鍺摻雜。 使用nFusion系統，Epion能夠以等效180mA的束電流產生能量極低的離子束。與傳統離子注入相比它取得了10倍以上的改進，非常適合低能量注入。透過這種改進可以高吞吐量實現非常高的摻雜劑量，同時仍距表面很淺，從而在保持高品質的情況下增加生產效率。對退火後的摻雜成品率的分析表明，所有摻雜劑都留在矽中，沒有任何摻雜劑由於晶圓清洗或外擴散而失去。這種技術僅以幾瓦的束能產生了非常高的等效束電流，這一點對於避免光致抗蝕劑過熱非常重要。 Epion主席兼首席執行官Allen Kirkpatrick說：「目前，我們是業內唯一能夠提供180mA等效氣體團簇離子束的公司。這一重大的效能改進與我們能夠確保的始終如一的品質相結合，使得我們能夠在未來六到八個月推出新應用。我們的改進對於像台灣這樣的重要亞洲市場的客戶尤其具有吸引力」。另外，Epion Corporation已與一家重要的日本半導體元件製造商共同啟動了一個正式聯合開發計畫。這家日本公司是全球移動通訊、汽車和PC/AV市場領先的半導體系統解決方案提供商，同時是全球首屈一指的微控制器供應商。這個開發計畫將利用Epion的 GCIB技術來開發製造45奈米及更小元件的CMOS邏輯結構所用的先進製程。該客戶的日本工廠中已經安裝了Epion的nFusionTM摻雜系統，這使得元件製造商能夠評估nFusion系統的技術和生產效能，同時向Epion提供有價值的回饋。SST-AP/Taiwan