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   日期：2006/10/31   來源：半導體科技    

AMS 200 I-Productivity深層反應性離子蝕刻設備提供矽蝕刻速率高達每分鐘32微米。阿爾卡特公司聲稱其系統優越的特性乃藉由硬體的改善、真空系統及晶圓基座的設計，並搭配製程腔體壓力控制系統所達成；此外，於大量生產環境下之最適化氣體供應監控系統，顯著地降低製程成本並提高生產率。

Alcatel Micro Machining Systems
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