2009/5/  Vo.60   線上訂閱
產業新聞

 
半導體科技精選專文
 • ASML的「double-dips」新型微影機台
雙重曝光浸潤式微影將會是32奈米時代的主要製造典範，而ASML在日本半導體展中，公佈了一台為最強曝光度版本而設計的新型曝光設備：LELE，或「double-dip」。

NXT:1950i機台應用了和早期ASML浸潤式步進機相同的1.35NA(38奈米的均值解析度)投影透鏡，但加入了對平台定位技術有重大改變的新型NXT雙晶圓載台(twin stage)系統，以及改善的液體控制系統。它最大每小時200片晶圓的產出率，也就是表示甚至是當一片晶圓需要在曝光機台浸潤二次以轉印關鍵膜層時，預期其產量仍然是可被接受的。

根據ASML的資深產品經理Frank van de Mast的說明，NXT平台的雙晶圓載台，它們本身能夠在浮動的永久磁鐵平板上利用磁力來飄浮，其作用就像是反應質量。內建在飄浮系統內的線性趨動器，能夠推動晶圓載台在磁性平板上移動。而在飄浮和推進線圈之上與晶圓真空吸盤(chuck)之下的短行程馬達，則提供了所需的奈米級精確度。因為雙晶圓載台能夠快速加速，並在液體持續流動時，在浸潤頭下可以互相交錯而過，因此在晶圓傳送時僅需要較短的時間。

晶圓載台定位是由卓越的可重複性與穩定性來完成(圖一)，加上剛好裝置在晶圓載台上，以維持穩定度的網格板編碼器(grid plate encoder)(圖二)。在每一個晶圓載台上具有四組雙向自由度的感測器，一起讀取從編碼器所定義的晶圓位置的6°自由度。加上傳統的長路徑干涉儀，即可讓氣體擾動不會干擾到量測，因此可達到更為改善的疊層(overlay)精準度。對於重回到相同真空吸盤上的雙重曝光晶圓來說，NXT:1950i以擁有2.5奈米(平均值+3標準差)的疊對規格而自豪，而且替用的真空吸盤僅有0.5奈米(二個矽原子...more
 • 2008年IEDM有詳細的最新32奈米CMOS、flash之後記憶體以及創新元件

新型的記憶體概念與最新具有金屬閘極和high-k介電質的32奈米(nm)CMOS，都是日前於舊金山舉行的2008年國際電子元件研討會(IEDM)中的重要內容。而很多種類的創新型元件技術，包括3D晶圓級整合，以及奈米線(nanowire)電池也都有介紹。

在記憶體技術上的快速改善，特別是快閃記憶體(flash)現在已被廣泛運用在數位相...more
化合物半導體與光電技術精選專文
 • [市場瞭望]2008年第四季平面顯示器產業回顧與展望
<b>劉美君</b> / 工研院IEK ITIS計畫 　2008年第四季台灣平面顯示器總產值達新台幣2,642.4億元，比前一季衰退35.3％。其中面板產業產值新台幣1,829.1億元，比前一季衰退39.1％，主力為大型TFT-LCD面板產業，產值約新台幣1,326億元；其次為中小型TFT-LCD面板產業，產值約新台幣370億元；TN/STN面板產業，產值約新台幣11....more
 
產品櫥窗
活動預告
 
Copyrightc 1999-2008 亞格數位股份有限公司版權所有
非經本公司同意不得將全部或部分內容轉載於任何形式之媒體