2009/4/  Vo.58   線上訂閱
產業新聞
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 • SEMI : 三月北美半導體設備B/B 值為0.61
 • LSI最新推出四款深層封包偵測系列解決方案
 • 集邦:海力士大幅減產 估計今年市佔率落居第五
 • 中芯國際和 Dolphin 公司宣佈合作推出可攜式媒體播放器
 • 英國威格斯公司連續第三次榮獲英國皇家事故預防學會(RoSPA)總裁獎
 • 集邦SSD評測出爐 台廠跨入相關領域受矚目
 • 諾發系統發表強化抑制鑲嵌技術提供32奈米無缺陷之銅導線製程能力
 • QuickLogic以美光科技記憶體提升下一代行動裝置性能
 • sp3 Diamond Technologies 宣佈提供用於高功率、高頻率裝置之鑽石矽晶體晶圓

 
半導體科技精選專文
 • 降低高亮度LED大產量生產成本的晶圓粘結及檢測
晶圓在高亮度LED生產中的粘結
高亮度LED的主要用途包括車燈、信號燈以及背光顯示等。 雖然高亮度LED的成本較高,但其優越性使LED應用還是可以接受。高亮度發LED也具有用於普通照明的潛力。為使高亮度LED的成本降低到可用於居室、辦公室和停車場,有必要提高高亮度LED的製造的生產效率來達到降低單位元流明成本的目的。這樣高亮度LED就可代替現在還在生產的白熾燈和各種螢光燈。高亮度LED的一個顯著優點是其壽命是用數十年來衡量的。
多種高亮度LED的光子向各個方向發射,包括向基板方向的下方。如果基板有比LED發光區小的帶隙,基板會吸收大約一半的反射光,這就大大減少了光的輸出。如果把一片含有發光二極管的晶圓粘結到一片具有高反射率表面的基板晶圓上,基板晶圓還有能散熱,射向基板的光將被反射回並穿過發射區,這就大大提高了總光亮輸出。
許多材料,如矽,砷化鎵,氮化鎵,磷化鎵,和藍寶石等,可用來製作LED。在復合半導體上生長出光子層並轉移到矽或相似的材料的支撐晶圓上,並且晶圓的背面是暴露出來的。現在復合半導體只有大到4英寸。這就限制了LED晶圓與晶圓的結合的大小只有2到4英寸的直徑。另外一個問題就是兩個需要粘結的晶原有不同的熱膨脹係數而導致粘結過程非常緩慢。因?每次只能粘結一對晶圓,這就限制了高亮度LED的生產率,單位成本也很高。這些限制可通過使用新開發的SUSS晶圓粘結裝置來突破,這個裝置可實現多對晶圓的同步粘結。
以氮化鎵為原料的高亮度LED生產有兩種方法:即金-金熱壓和金錫共熔粘結。在金-金熱壓粘結過程中,一層1至3微米厚的金和阻隔粘結層被塗在每片晶圓上。為了消除表面污...more
化合物半導體與光電技術精選專文
 • [CS精選]金字塔型的結構能產生無裂縫的UV雷射
<b>Harumasa Yoshida</b> / Hamamatsu Photonics Epiwafer的裂痕問題阻礙了UV雷射二極體的生產,但這個問題是可以避免的,只要在藍寶石基板上插入一層金字塔形狀的GaN結構即可,Hamamatsu Photonics 公司的資深研究員 Harumasa Yoshida 如是說。 UV雷射被使用在各種不同的產業和科技應....more
 
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