超紫外線（Extreme Ultraviolet，EUV ）微影技術被認為是用以取代深紫外線(Deep Ultraviolet，DUV)且滿足摩爾定律中22奈米及以下世代最可行的候選人。本文中，我們將指出因為雷射激發電漿型(Laser Produced Plasma，LPP)技術較易達到高功率超紫外線光源之需求，且具有較高的超紫外線發射效率和收集效率，是用來量產超紫外線光源系統的最佳選擇。雷射激發電漿型超紫外線光源的發展歷史和現狀說明，包括超紫外線輸出功率的進展，高可靠度的液態錫滴產生器，先進的碎片緩減技術和其他技術上的優勢都將在本文中揭露。在文章最後，超紫外線光源系統未來技術研發藍圖提供了一份符合大規模生產的超紫外線光源系統之詳細的時程表和針對22奈米及以下世代製程的技術要求。

前言
超紫外線微影技術是被列在國際半導體技術藍圖(International Techonology Roadmap for Semiconductor，ITRS)中做為193奈米浸潤式微影技術之後可以在2013年解析出32奈米及以下世代最有前景的技術。然而，針對某些儲存元件量產時程，如NAND型快閃記憶體，則要求提早在2011年就需應用超紫外線微影技術做為量產技術，甚至在2009年就需要此微影技術做為早期研發之用。為了實現超紫外線微影技術，首先需要投入眾多資源開發高功率和高可靠度的超紫外線光源，再者需要來解決超紫外線光阻劑性能問題, 如光阻敏感度(photosensitivity)，線邊緣粗糙度（Line Edge Roughness，LER），以及線寬粗糙度（Line Width Roughness，LWR）等。目前超紫外線光阻的敏感性和光學穿透率使得超紫外線光源的可用頻寬超紫外線...more