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產業新聞

 
半導體科技精選專文
 • 離子植入：32奈米與22奈米元件製程的新促動要素
多年來，離子植入設備供應商主要在產能與擁有成本的差異上進行競爭，邁入32奈米與22奈米製程的挑戰，開啟了新的機會，離子植入製程業已接軌，成為未來技術節點進行晶片製造的重點技術。

一開始，離子植入即為主力製程，VLSI電路因植入技術的固有精確度而能製造。具體而言，離子植入能讓MOSFETs得到準確的臨界調整電壓(threshold adjust voltages)，這使得低功率的CMOS邏輯電路得以產製。也因如此，在歷經十餘個技術節點之後，半導體產業確實改變了這個世界。

植入製程具有三種功能：摻雜物均勻的分佈在晶圓表面上；摻雜物輪廓(dopant profile)與深度的準確控制；高度精確的摻雜物密度。這些功能有助於摻雜分佈工程(dopant profile engineering)，摻雜分佈對早期CMOS的出現至關重要。若沒有植入製程，CMOS不會快速增長和擴增，也不會深刻地影響人類生活1。

檢討製程發展歷史，植入製程必須具有高度精確與產能，不同於沉積、蝕刻或微影技術，植入製程從來不僅僅是下一個技術節點的持續或新的推動技術，相反的，在植入製程展現其最初貢獻後，其製程傳統上就可跨越數個技術節點，所以塑造了植入設備供應商多年來在產能與成本上競爭的環境。例如，受限於機械設備的植入製程產量，從2004年的每小時200片增至現今每小時超過500片。如今，去推動新的元件尺寸微縮製程會面臨何種挑戰？需要創新的植入技術嗎？

技術障礙
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