2009/2/  Vo.51   線上訂閱
產業新聞

 
半導體科技精選專文
 • 次世代邏輯閘極堆疊的high-k蝕刻效能
乾式蝕刻對45奈米以下的高效能金屬閘極/高介電常數(high-k)元件是必需的。High-k的濕式蝕刻並不像以SiO2為主的閘極氧化層一樣能夠輕易地在HF溶液中進行，反而會造成氮化矽上蓋層(cap layer)的侵蝕，以及在閘極的high-k外形(profile)上造成不想要的底切(undercut)現象。此論文說明了應用於邏輯閘極的high-k介電層蝕刻的關鍵要求，並探討乾式蝕刻的參數，以符合這些要求。同時也對基板溫度(環境溫度>200℃)的影響進行了詳細的研究。

傳統上依照摩爾定律(Moores law)的微縮，已不再適用於45奈米技術節點之後對電晶體速度的要求。在結合了電晶體閘極長度的微縮之後，傳統多晶矽閘極已被金屬閘極所取代，因為金屬閘極能夠解決多晶矽的空乏效應，其造成有效閘極氧化層厚度多增加高達0.5奈米的影響。而TiN、TaN、TaSiN、TaC、WN、與W等等金屬材料被研究來作此種應用。再者，為了處理因傳統SiO2閘極不斷變薄所導致的電子穿隧(electron tunneling)效應所造成的閘極漏電流，因此以HfOx為主的high-k閘極氧化層會被整合到膜層堆疊中，而這對元件的製造製程也會帶來新的挑戰。

閘極堆疊工程
在傳統閘極前置(gate-first)的方法中，在源-汲極區域的high-k膜必須先加以蝕刻。而此步驟的關鍵要求是：(1)垂直的high-k外形，並具有能控制從上蓋層到底切層外形的寬廣製程容許度(process window)的能力；(2)沒有源/汲極的矽凹陷(r...more
化合物半導體與光電技術精選專文
 • [前瞻技術]LED光源—從顯示到照明
<b>田仲豪</b>/交通大學光電工程學系暨顯示科技研究所 　發光二極體(LED)近幾年因為發光效率急速的提升，以及環保節能的需求下，從初期的電源指示燈滲透到顯示器的背光領域，進而擴展至一般的照明市場。然而，LED光源的發光頻譜特性，和過去傳統白熾光源(Incandescent lamp)、氣體放電燈 (Gas discharge lamp) 的光譜能量分佈相比有很大....more
 
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