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產業新聞

 
半導體科技精選專文
 • Alchimer的TSV技術可降低50%總持有成本
以合乎經濟效益的方法建構直通矽穿孔(TSV)的能力，是採用3D IC封裝技術之關鍵，其中，半導體晶粒(die)係以垂直堆疊的方式以大幅縮小接腳站位。3D IC封裝技術保證可降低尺寸、成本及功耗，同時增加功能及效能；然而，氣相蒸鍍(vapour depositon)製程的限制，一直阻礙此領域的進展。Alchimer科技目前已超越PVD的性能，並可減少TSV金屬粉末噴塗總持有成本達50%。

TSV為晶粒間的電氣連結，構建TSV的一般方法包含穿過晶粒，蝕刻出一細長孔(一個貫孔-via)，並填滿紅銅。在此製程中包含許多步驟；蝕刻貫孔的技術包括雷射鑽孔，深層反應離子蝕刻(DRIE)及深層貫孔使用的「Bosch」深層反應離子蝕刻。再以電鍍方式將貫孔填滿紅銅，此為長久所知的製程，亦即是將電流通過浸泡在含銅離子之電浴槽內的基板。然而，在蝕刻與填入紅銅的步驟間，為確保已充填貫孔的功能可正確運作，必須沈積三層材質。第一層為隔離層，用來將晶粒中的矽本體與TSV中的銅以電氣分離。第二層為障壁層(barrier layer)，防止銅擴散到矽中。這兩個層體皆為元件可正確運作的基本要素。在這些層體之上是一銅薄層稱為「銅晶種層」(copper seed layer)，其是否連續對後續的電鍍製程相當重要，若不連續，則在填充銅中將會生成空隙，破壞貫孔。

目前這三層層體的沈積工作皆利用乾式蒸鍍製程，例如PVD及CVD。這兩種蒸鍍製程皆可產生TSV，並輕易到達3：1的深寬比(AR, aspect ratio)。但請注意ITRS及Sematech發展藍圖中，直接要求10：1的深寬比。因此，實際而言，這些製程在TSV技術發展中已造成瓶頸，因為PVD是一種視線(Line-of-sight)製程，因此完全不適用於有垂直側璧...more
化合物半導體與光電技術精選專文
 • [CS精選]GaN基板 利用垂直式氫化物氣相沈積法(HVPE)設備生產2吋GaN晶圓
目前Aixtron正在進行GaN基板生產製程的新技術開發，透過引入垂直式氫化物氣相沈積法(HVPE)設備就可以加速獨立式GaN基板技術的商業化腳步，利用此最新技術可以得到一個懸吊式的晶種夾持器，然後就可以用它來製作出直徑2吋大的胚晶。 Bernd Schineller 　目前在GaN光電領域，舉例來說像是405nm的高功率雷射二極體，紫外光與藍光的發光二極體等等元件的缺陷....more
 
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