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   2.5D/3D IC封裝論文訪談 (2014/10/28)
近期的晶圓鍵合技術成果顯示更佳的鍵合對準精度是可以達到的。過去30年,尺寸微縮和摩爾定律是驅動平面矽元件成本降低的重要推手。在此期間,主要的技術演進都發生在CMOS製程當中。而最近的技術發展狀況更為複雜,包括多步光刻圖案、新的應變增強材料和金屬氧化物閘極介電材料。儘管在工程和材料科學方面有諸多偉大進步,大家預期的「紅磚牆」依然再次快速地接近,如不閃避就會遇上。事實上,有一些半導
目前在影像感測器模組測試上,再也不需因為一堆縮寫(acronyms),測試設備(test equipment),以及圖表(charts),而感到困惑。只需有清楚的目標和一些技術竅門作輔助,如此便可將繁雜的工作簡化成少許的一些主要步驟(key steps),例如:材料選擇(material selection)、電性設定(electrical set-up),以及模組品質測量(m